長江存儲第四廠擬七成設備國產化
中國最大快閃記憶體晶片製造商長江存儲（YMTC）計劃在武漢興建第四座工廠，目標將高達七成設備取自國內供應商，較第三廠逾半數的比例進一步提升。此舉反映中國在半導體製造工具國產替代方面的進展，同時亦因美國出口限制而加速推動本地化。
中國最大快閃記憶體晶片製造商長江存儲（Yangtze Memory Technologies Co，YMTC）計劃在武漢興建第四座工廠，目標是從國內供應採購高達七成設備，消息由兩名知情人士透露。該目標較即將於今年稍後投產的第三廠有所提升，後者國內供應商佔比僅略過半數。
這座位於武漢的新工廠預計將生產該公司最先進的NAND晶片，其垂直堆疊記憶單元層數超過300層。工廠主要針對數據中心及人工智能應用的儲存晶片，而NAND快閃記憶體廣泛應用於智能手機、電腦及數據中心，增加層數可提升儲存密度。
知情人士指出，長江存儲為新廠訂下的國內設備比例目標至少為六成，並期望達到七成。建造工程預計明年開始，惟目前只與供應商進行初步討論，尚未正式落訂。這是首次有報道披露第四工廠的時程及國產設備目標。
美國出口限制持續制約長江存儲獲取部分美國晶片製造技術。南韓競爭對手三星電子（Samsung Electronics）及SK海力士（SK Hynix）在中國擴產或進行重大技術升級時亦受掣肘。長江存儲的新廠將使其記憶單元層數超越競爭對手在中國的生產能力。
市場研究公司Omdia數據顯示，長江存儲在中國NAND市場的份額已由2025年第二季的28%升至38.5%，超越三星成為內地最大NAND製造商。三星正將西安廠改造成生產286層晶片，SK海力士則將大連設施從192層升級至240層或以上。
較高的本地採購比例可能惠及中國設備製造商，包括北歐納斯科技集團（Naura Technology Group）及先進微晶片設備公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment）。大部分新增國內訂單預計來自晶圓清洗、打磨及蝕刻等工序，中國供應商已在長江存儲生產線上證明其設備可靠。然而，在先進製造工序如光刻及檢測方面，該公司仍依賴海外供應商。