馬斯克稱 Terafab 目標 2028 年量產晶片
SpaceX 與 Tesla 的晶片合資企業 Terafab 目標在 2028 年第三季實現量產，但創辦人馬斯克承認時間表「非常進取」，並設有較大誤差範圍。該項目計劃在德州設施每年生產 1 兆瓦的 AI 及機械人用運算晶片，惟面臨 EUV 設備供應挑戰。
晶片製造合資企業 Terafab（由 SpaceX 與 Tesla 合組）目標在 2028 年第三季達到量產規模，SpaceX 行政總裁馬斯克（Elon Musk）於周二（10 月 21 日）的 SpaceX 電話會議上透露。他強調「我為這個時間表設定了較大的誤差範圍，因為我們不確定能否真正達成」，形容該項目旨在每年生產 1 兆瓦的 AI 及機械人用運算能力，屬「非常進取」的進度。
在美國，尖端邏輯晶片工廠往往需時三年或以上建造。馬斯克將德州計劃中的設施描述為整合先進製造、封裝及測試的單一廠房，涵蓋邏輯晶片與記憶晶片。他同時表示，Terafab 內部目標是在明年（2027 年）約 5 月或 6 月，於奧斯汀研究設施內產出首枚採用靜態隨機存取記憶（SRAM）電路的測試晶片；晶片製造商普遍以 SRAM 電路作為優化製程開發的方法。
馬斯克坦言 Terafab 的時間表「非常進取」，並承認自己過往曾為旗下公司設定不少未能實現的目標。「只能說，在 2028 年第三或第四季達到量產，至少屬於可能結果的集合之內……這些對於晶片生產來說，顯然是瘋狂快速的時程。」
在電話會議上，一名 sell-side 分析師提問 SpaceX 是否已向荷蘭公司 ASML 訂購生產 Nvidia 及 Advanced Micro Devices 尖端晶片所需的極紫外光（EUV）刻印機器。馬斯克未有直接回應，僅表示「這些日期非常進取，我們非常感謝 ASML 及所有其他供應商加快設備交付以達成此目標」。Terafab 面對的其中一項挑戰，正是從 ASML 或美國供應商（如 Applied Materials 及 KLA）取得足夠的複雜且昂貴的半導體製造設備。
英特爾（Intel）今年 4 月宣布加入 Terafab 項目，協助加速其目標；英特爾更發布行政總裁 Lip-Bu Tan 與馬斯克握手的照片，稱該月在其園區接待了全球首富。然而，雙方至今未透露合作的具體操作模式。本月初，馬斯克表示曾與全球最大先進晶片製造商台積電（TSMC）探討潛在合作，但其後強調 Terafab 將自行營運該設施。
