長鑫存儲擬量產AI記憶晶片 良率僅20%仍推進
中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）計劃在未來兩個月內開始限量生產HBM3E高頻寬記憶晶片，儘管良率僅約20%至30%，遠低於市場領導者SK海力士的70%。此舉反映中國在美國出口限制下，對AI記憶晶片的嚴重短缺。
兩名知情人士透露，中國長鑫存儲（CXMT）計劃開始生產HBM3E高頻寬記憶晶片，這是一種用於人工智能處理器的先進晶片，儘管其生產的晶片中僅約20%可用。這項決定凸顯中國在美國限制外國技術獲取的情況下，對AI記憶晶片的嚴重短缺，而這些晶片對於政府支持的、大規模開發國產替代Nvidia AI處理器的計劃至關重要。
長鑫存儲是中國最大的動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商，該公司已向多家國內AI晶片設計公司發送HBM3E樣品。一名消息人士指，公司預計在未來兩個月內開始限量生產。然而，其生產線上的晶片良率僅約20%至30%，相比之下，市場領導者南韓SK海力士的良率約為70%。
高頻寬記憶（HBM）是通過垂直堆疊記憶晶片製成，可與AI處理器快速交換數據，是用於訓練和運行大型語言模型的專用晶片中的關鍵組件。美國於2024年12月收緊對中國出口某些先進HBM產品的管制，中國晶片製造商轉而通過非官方渠道獲取記憶體，成本可能高出數倍。
長鑫存儲在低良率下仍推進生產，因為中國AI晶片製造商難以獲得足夠的先進記憶體來增加產量。低良率使生產成本高昂，因為大部分晶片必須報廢或返工。一名消息人士指出，長鑫存儲的HBM3E預計將比海外競爭對手的同類產品更昂貴。該公司最早於2024年開始內部開發這項技術。
在測試中，長鑫存儲的HBM3E性能更接近SK海力士的上一代HBM3，而非其HBM3E。該公司向客戶提供了兩種HBM3E版本：標準設計和包括旨在提高良率的改進版本。HBM生產的難度顯示了長鑫存儲與行業領先者之間的差距，後者包括SK海力士、三星電子和美光科技，它們主導全球供應。
根據Counterpoint Research數據，第二季度SK海力士佔全球HBM收入50%，三星33%，美光18%。長鑫存儲在該季度佔全球DRAM收入10%，是全球第四大傳統記憶晶片供應商。但美國出口限制限制了其獲取最先進晶片製造設備，使其更難縮小與全球競爭對手的差距。三星於7月表示已擴大HBM4銷售並向主要客戶出貨HBM4E樣品，這使長鑫存儲在商業HBM生產上至少落後一個世代。