ASML擬與晶片大廠合作 開發更大尺寸光刻工具
荷蘭晶片製造設備公司ASML計劃與主要客戶合作，開發新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）光刻工具，以生產像Nvidia等公司設計的大型數據中心晶片。ASML將採用更大尺寸的掩模，使新工具能製造與現今最大數據中心晶片同等大小的晶片，預料2028年起陸續應用於DRAM量產。
荷蘭晶片製造設備公司ASML表示，計劃與主要客戶合作，生產其最先進的工具，用於開發Nvidia等公司設計的大型數據中心晶片。ASML生產的光刻工具，通過將光線穿過含有晶片圖案的掩模，將電路印在矽晶圓上。
ASML現時廣泛使用的極紫外光（EUV）工具，可印製約800平方毫米的晶片，Nvidia、Google等公司設計的晶片一直用到這個極限。ASML新一代「高數值孔徑」（High NA）EUV工具，能印製更精細的晶片，但由於使用較小的掩模，目前能印製的晶片尺寸受限。
Intel已將ASML的最新工具用於其筆記簿型電腦晶片。ASML本週表示，計劃改用更大的掩模尺寸，讓新工具能製造與現今最大數據中心晶片同等大小的晶片。改用更大掩模將有助於新機器在大量生產中更廣泛應用，目前這些機器只用於Intel的生產，尚未在台積電（TSMC）或三星電子（Samsung Electronics）用於高產量工作。
另外，SK海力士（SK Hynix）發聲明表示，正在評估參與引入12吋掩模的聯盟，目標是在2028年將High NA EUV工藝應用於DRAM量產。台積電本週表示，計劃在2030年起將ASML的High NA技術用於先進節點量產，而三星則計劃在2028年前將High NA EUV引入DRAM記憶體晶片量產。
ASML計劃在2031年前展示使用更大掩模的試驗線，並在2033年前讓新技術準備好投入量產。ASML首席技術官Marco Pieters向路透社表示，如果業界能夠成功實現，這些系統的生產力將提升40%。
