三星及SK海力士升級中國廠房生產先進晶片
三星電子及SK海力士正升級其位於中國的廠房，以生產更先進的記憶晶片，應對來自中國競爭對手的挑戰及人工智能的需求。據了解，三星在西安的廠房計劃生產286層V9 NAND晶片，而SK海力士則在大連廠房轉向生產240層或以上的NAND產品。
三星電子（Samsung Electronics）及SK海力士（SK Hynix）正升級其在中國的廠房，以生產更先進的記憶晶片。四名知情人士透露，此舉旨在應對快速增長的中國競爭對手，並滿足龐大的人工智能（AI）需求。
自美國於2022年開始對部分晶片製造設備實施出口管制，試圖減慢中國的科技發展步伐以來，如何投資於中國業務已成為南韓晶片巨頭的棘手問題。兩家公司現時每年均需取得美國許可，才能在中國安裝如蝕刻機器等美國製造設備。美國商務部工業與安全局（Bureau of Industry and Security）於2025年表示，不打算向外國晶片製造商在中國的廠房批出升級技術及擴充容量的許可。
監管上的困難限制了兩家公司改造廠房的能力，並導致其市場份額被長江存儲（YMTC）蠶食。三星及SK海力士在回覆路透社的聲明中確認升級正在進行，並與華盛頓緊密磋商，但未有透露生產計劃詳情。路透社未能確定美國當局批出所需設備出口許可的程度。
三星位於中國西北西安的廠房，約佔其全球NAND產量的四成，目前生產約200層的晶片。作為內部名為「Monami」的項目一部分，三星正將該廠房轉為生產286層V9 NAND晶片，目標在今年12月達至月產5,000片晶圓，並於2027年12月升至40,000片。三星表示升級符合美國出口規定，旨在滿足全球客戶需求，並非擴充產能或建造新生產設施。
SK海力士則計劃在其東北的大連廠房轉為生產240層或以上的NAND產品，該廠房目前生產192層晶片。一名消息人士稱，該公司獲授權在大連生產最多240層的晶片，並可能向華盛頓尋求許可，在當地進行超過300層晶片的研究與開發。SK海力士正與特朗普（Trump）政府討論在美國建造新NAND廠房的計劃。
與此同時，長江存儲（YMTC）取得重大進展。研究機構Omdia數據顯示，該公司在今年第二季度佔據中國NAND市場38.5%的份額，超越三星的33.5%及SK海力士的17%。YMTC的產品主要為160及232層NAND晶片，亦生產少量294層晶片，並計劃製造超過300層的產品。