長鑫存儲第五代DRAM平台量產
中國DRAM晶片製造商長鑫存儲（CXMT）宣布，其第五代技術平台已進入量產階段。該公司表示，新平台能生產更強大、成本更低且更省電的記憶體晶片，有助於在全球市場與三星、SK海力士及美光等巨頭競爭。
中國DRAM晶片製造商長鑫存儲（CXMT）於周日宣布，其第五代技術平台已正式進入量產階段。此舉被視為一項突破，有助中國在記憶體晶片市場建立更強的競爭對手，與三星電子、SK海力士及美光科技等國際巨頭抗衡。DRAM（動態隨機存取記憶體）是手機、電腦及其他裝置執行應用程式時所需的短期工作記憶體。
新平台設計旨在以更低成本及更低功耗，生產更強大的記憶體晶片。長鑫存儲今年於上海科創板上市，公司表示，新平台將為電子產品製造商提供額外的晶片供應來源，用於智能手機及其他裝置。
作為中國領先的DRAM生產商，長鑫存儲指出，新平台將儲存數據的微小結構更緊密地排列，使每塊晶片能容納更多記憶體，同時每片矽晶圓能切割出更多獨立晶片。總部位於合肥的長鑫存儲表示，已將晶片中儲存數據部分的關鍵特徵間距縮減至11.95納米，約為120億分之一米。該公司透過「四重圖案」技術達成此目標，該技術重複多個製造步驟以產生更精細的電路圖案。
長鑫存儲副總裁兼行銷中心負責人羅曉東在合肥舉行的2026世界製造業大會上表示：「我們的製程能力目前已與業界最先進的量產節點持平。」長鑫存儲同時推出兩款基於新平台的24千兆位元LPDDR5X產品。LPDDR5X是一種節能型DRAM，主要應用於智能手機及其他便攜式電子產品。公司表示，每款產品的數據容量較前代同等產品高出50%，並已進入量產階段，提供兩種封裝格式以配合不同智能手機及便攜裝置的設計。
長鑫存儲表示，以8千兆位元晶片為基準，新平台每片晶圓可生產的總晶片數（未計入缺陷晶片）至少較第四代平台增加50%。公司表示，該平台是透過電腦模擬，並與中國晶片設備製造商在關鍵生產步驟上合作開發而成。此項進展正值北京尋求減少對外國半導體技術的依賴，而美國自2022年起實施的出口管制，已限制中國取得部分先進晶片製造設備及相關軟件。